Le professeur Fan Fengjia de l'École de physique de l'Université des sciences et technologies de Chine et le professeur Shen Huaibin de l'Université du Henan ont travaillé ensemble pour utiliser la technologie EETA afin d'étudier en profondeur les questions scientifiques clés des diodes électroluminescentes à points quantiques à base de phosphure d'indium vert.
Ils ont réussi à atteindre un rendement quantique externe maximal (EQE) de 26,68 % pour les LED à points quantiques à base de phosphure d'indium vert, une luminosité de plus de 270 000 cd/m2 et une durée de vie T95 (la luminosité décroît jusqu'à 95 % de la valeur de départ) de 1 241 heures à une luminosité initiale de 1 000 cd/m2, établissant ainsi un nouveau record mondial.
Principe de l'absorption transitoire excitée électriquement et principaux enjeux scientifiques des LED à points quantiques à base de phosphure d'indium
Les dernières recherches du professeur Fan Fengjia et de son équipe de recherche montrent que la principale raison des faibles performances des LED à points quantiques à base de phosphure d'indium vert actuelles est une injection d'électrons insuffisante et une fuite d'électrons importante.
À cette fin, l'équipe de recherche a proposé une conception à barrière basse et large qui non seulement améliore l'efficacité de l'injection d'électrons, mais supprime également efficacement le phénomène de fuite. Grâce à cette optimisation, l'équipe de recherche a établi un nouveau record mondial.
Les résultats de recherche pertinents ont été publiés dans la revue Nature sous le titre "Efficient green InP-based QD-LED by controlling electron injection and leakage", marquant un progrès important dans la technologie LED à points quantiques non toxiques.
